台积电新研究，让1nm芯片成为可能，午夜精品久久久等离子体清洗机观察
文章导读：午夜精品久久久等离子体清洗机行业观察，台积电和交大强强联手，研发出全球厚度仅有0.7纳米的超薄二维半导体材料绝缘体，有望借此进一步研发出2纳米乃至1纳米的电晶体通道，论文这个月成功登上國際期刊自然期刊（nature）。
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国立交通大学电子物理系张文豪教授研究团队在科技部长支持下，与台积电合作，合作研究研发出全球zui薄、厚度仅0.7纳米、大面积晶圆尺寸的二维半导体材料绝缘层，台积电表示，关键所在是单晶氮化硼技术的重大突破，今后有望通过这项技术，进一步研发出2纳米乃至1纳米的电晶体通道。
现阶段台积电正在推动3纳米的量产计划，指的就是电晶体通道尺寸，通道做的越小，电晶体尺寸就能越小，而在持续微缩的过程中，电子就会变得越来越难传输，导致电晶体无法有效工作，现阶段二维半导体材料是如今科学界认为zui有可能解决瓶颈的方案的一种。
二维半导体材料特性就是很薄，平面结构仅有一两个原子等级的厚度，但也因而传输中的电子容易受环境影响，因此要绝缘层来阻绝干扰，现阶段半导体使用的绝缘层多半是氧化物，通常做到5纳米以下就非常困难，无法小于1纳米，团队研发出的单晶氮化硼生长技术，成功达成0.7纳米厚度的绝缘层。
台积电技术主任陈则安，为清大化学系博士，他表示，单晶指的是单一的晶体整齐排列，单晶对於将来半导体结构比较有帮助，因为假设绝缘层不是单晶结构，中间会出现很多缺陷，电阻经过的时候可能被缺陷影响，导致效能变差，实验也已证实会有影响，将来还要更多研究。
台积电处长李连忠曾经是中研院原分所研究员，他表示，台积电研究团队经过基础研究后，寻找问题和突破可能性，跟交大化学气相沉积实验室合作，让氮化硼单晶在铜上生长，作为保护二维半导体材料的通道，现阶段无法说明量产时间，也有很多关键技术要突破，比如金属接触和元件优化，可是确实对於将来电晶体尺寸再变小将有帮助。
将氮化硼转移至矽晶圆上，蓝色可见部分为支撑膜。
本文来源：自由时报
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